近日，中国科学院微电子研究所在新型存储器及硬件安全芯片研究领域取得重要进展。中科院院士刘明科研团队两篇研究论文入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI）。

　　在硬件安全芯片领域，刘明和微电子所研究员吕杭炳团队展示了一种利用电荷俘获鳍式晶体管（Charge Trapping FinFET，CT-FinFET）器件短期阈值电压恢复特征的真随机数发生器（TRNG）芯片（图1）。研究人员创新地设计了一种时间-频率转换电路，将CT-FinFET阈值电压的弛豫时间转变为高速真随机数据流。该TRNG在-10~85℃范围，对幅度高达600mV和频率高达1.5G Hz的功率噪声表现出极大的抗攻击能力。论文展示的TRNG芯片通过了NIST 800-22和NIST 800-90B所有的随机性测试项，是一种很有潜力面向先进工艺节点的硬件安全解决方案。该项工作被组委会邀请参加VLSI Demo Session展示。上述研究成果以题为Robust True Random Number Generator Using Stochastic Short-Term Recovery of Charge Trapping FinFET for Advanced Hardware Security的论文入选2020 VLSI Technology。微电子所副研究员杨建国和博士丁庆婷为共同第一作者，吕杭炳和刘明为通讯作者。