3.3.2 AMR与退火温度的关系：AMR的值随退火温度的增加并不是完全的成线性增加，而是成一定的波动性增加，其原因有以下几种可能：

　　(1) 杂质的影响：杂质的存在使得Ni-Fe合金晶粒的长大并不随退火温度程线形增加，在图5中几个突变处，杂质晶粒长大速度大于Ni-Fe合金晶粒的长大速度，而限制了晶界的减少，从而AMR值增长缓慢。

　　(2) 相变的影响：退火过程中，合金所吸收的能量用于晶粒的长大，和合金的相变。在曲线线形增长的区域，能量主要用于晶粒的长大，而到了一定的温度，如图5中的突变点处，能量用于合金的相变，而使得晶粒增长缓慢。

　　4 实验结论：

　　1.在高真空，电子束蒸发制备Ni80Fe20在恒定温度下薄膜的厚度是随着束流的增大线形增加的，且在60mA—100mA的区间内束流越大膜的AMR越大。且在恒温下，沉积速流速率与束流大小是成正比关系的。

　　3.退火可以有效增加薄膜的各向异性电阻率，平均每提高100℃各向异性电阻率增加12.5%。

　　4. 而在突变退火区，AMR并不是完全随退火温度线形增加的，而是呈现出一定的波动性，可以看出影响薄膜AMR的因素是晶体形状的各向异性、薄膜的内禀力和磁晶各向异性的共同作用结果。

　　参考文献：

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