a.实测与模拟的频响对比结果 b.实测与模拟的S参数对比结果

　　图 4电容测试结果

　　4.结论

　　本文针对GaAs MMIC电路给出了一个简化的平板电容等效电路，通过实测电容的S参数和软件模拟的方法，修改关键参数，建立了适用于特定工艺的电容模型。从图5对实测与模拟参数比较结果和图表1的误差对比结果可以看出，该模型在40GHz以下实测的S参数与电磁仿真结果基本吻合，平板电容的误差控制在3%以内，可用于40GHz以下GaAs MMIC的电路设计和仿真。

　　参考文献

　　[1]. J. P. Mondal, An Experimental Verification of a Simple Distributed Model of MIM Capacitors for MMIC Applications, IEEE Transactions on Microwave Theory Tech., Vol. MTT-35, No.4, pp. 403-408, April 1987.

　　[2].李效白：《砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路》，311-316

　　[3].A. Mellberg and J. Stenarson, “An Evaluation of Three Simple Scalable

　　MIM Capacitor Model”, IEEE, MTT-s, Vol. 54, NO. 1, pp. 169-172, Jan.2006.

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