摘　要：基于第一性原理，对赝立方结构IV族砷化物X3As4（X=Si、Ge、Sn）的电子结构、光学性质进行了理论研究。结果表明：X3As4具有间接带隙型能带结构；Si3As4、Ge3As4、Sn3As4的间接带隙能分别为0.1eV，0.25eV，0.54eV。根据费米面附近的态密度分布，IVA族元素的np电子轨道与As的4p电子轨道发生杂化；X-As的结合具有很强的共价特性。在光学性质方面，计算了X3As4的光学常数 、能量损失谱等。X3As4在可见光波长范围内有明显吸收，这与p电子在费米面附近的带间跃迁行为有关

【分　 类】 经济与管理科学
【关 键 词】 X3As4   赝立方结构   能带结构   电子态密度  光学性质
【来 　源】 互联网
【收　 录】 中国学术期刊网